HBF将超过HBM，闪存巨大利好

转：有预测称，计划于明年实现商业化的下一代 NAND 闪存产品——高带宽闪存 (HBF)，将在大约 10 年内超越高带宽存储器 (HBM) 市场，而 HBM 是人工智能半导体的核心组件。2月3日，韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系金正浩教授在首尔中区新闻中心举行了“HBF研究内容和技术开发战略简报会”，并强调“随着人工智能的思考和推理能力变得重要，以及从文本界面向语音界面的过渡，所需的数据

2026-02-05 LH 101