-
长鑫存储官宣发布LPDDR5X！速率登顶10667Mbps
转：据长鑫存储官方网站信息更新，长鑫存储已正式推出LPDDR5X产品，最高速率达到10667Mbps。据官网产品信息介绍，“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计，长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率达到10667Mbps ，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了6
2025-10-30 LH 366
-
人形机器人技术与产业发展研究，我国传感器等核心技术处于什么水平？
本论文由中国工程院王耀南院士团队撰写，发表于中国工程院院刊《中国工程科学》2025年第1期，主要阐述了我国人形机器人技术与产业发展态势，涵盖传感器、电机、减速器等全链条核心零部件发展现状和情况。王耀南院士是机器人技术与智能控制专家，主要从事智能机器人感知与控制技术及工程应用研究。编者按机器人被誉为“制造业皇冠顶端的明珠”。人形机器人是智能机器人技术的结晶，可以在特定行业如医疗护理、家庭服务、教育娱
2025-04-15 LH 356
-
传感器国产自主研发趋势下，毫米波雷达中的机会在哪里？（深度分析）
一、毫米波雷达市场规模测算1)整体乘用车市场毫米波雷达的增长不仅来源于雷达配置渗透率的提升，还很大程度上得益于多雷达方案渗透率的快速提升。特别是NOA（Navigate on Autopilot，领航辅助驾驶）、行泊一体的落地以及未来高阶自动驾驶方案的落地，将会直接推动5R（指单车配置毫米波雷达数量为5个）方案安装量的上升。①供应端：国内外Tier1供应商行泊一体方案已大量落地，且已发布多种L3方
2024-08-08 LH 343
-
GaN-On-SiC的未来
要说GaN有多火，如果你是手机制造商，不推出一款GaN快充可能会被嘲笑落伍。而在射频领域，GaN更被认为是高功率和高性能应用场景的未来。在SiC衬底上生长出的GaN呢？优秀基因的强强结合能否成就未来的王者？“高规格”市场的枷锁 GaN-On-SiC（碳化硅基氮化镓）结合了SiC优异的导热性和GaN高功率高频
2023-11-25 326
-
干货满满，详细解读下一代HBM架构！
转：本文将详细介绍下一代HBM标准，包括HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8，每一代都将提供巨大的进步，以满足不断增长的数据中心和AI需求。在韩国科学技术院（KAIST）和Tera（TB互连和封装实验室）最近的一份报告中，两家公司概述了HBM的路线图，并详细介绍了对下一代标准的期望。该报告概述了几个新的和即将推出的HBM标准，如HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8。首先是H
2025-11-13 LH 306
-
激光退火工艺在IGBT制造中的应用
激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要，IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。01IGBT退火技术在垂直方向上，IGBT结构经历了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和
2025-08-15 LH 275
-
临时键合和解键合工艺技术研究
转：超薄晶圆的机械强度低，翘曲度高，为解决其支撑和传输过程中碎片率高的问题，同时也为提高产品良率及性能，通常采用临时键合和解键合的工艺方法。通过介绍临时键合工艺和解键合工艺技术，并根据工艺需求提出了临时键合设备和解键合设备的结构和原理。随着半导体技术的发展，对各种元器件功能、性能和集成度的要求也越来越高，TSV互连和三维堆叠型3D集成已经进入了主流半导体制造，以解决“摩尔定律”物理扩展的局限性，同
2025-09-18 LH 262
-
基于聚焦叉指换能器的环形SAW陀螺仪（MEMS）
声表面波（SAW）陀螺仪利用一种被称为SAW陀螺效应的现象来测量旋转角速度。由于简化了传统MEMS陀螺仪所需的悬浮振动机制，SAW陀螺仪非常适合在恶劣环境中应用。据麦姆斯咨询报道，近期，西北工业大学机电学院常洪龙教授团队首次提出了一种使用聚焦叉指换能器（FIDT）的新型环形驻波模式SAW陀螺仪。传统SAW陀螺仪使用线性IDT产生声表面波，会导致波束偏转和能量耗散，而该研究团队使用FIDT根据结构特
2024-05-06 LH 240
