第三代半导体---碳化硅

2023-12-27 333

激光退火工艺在IGBT制造中的应用

激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要，IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。01IGBT退火技术在垂直方向上，IGBT结构经历了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和

2025-08-15 LH 330

量子和光能超越摩尔吗？

后摩尔时代，全世界的科学家们都在寻找新的计算体系和架构来突破算力瓶颈。量子和光被寄予了厚望，并且在经历了数十年的实验室研究和学术探讨之后，终于开始接近成为一个商业命题。快速退火炉,RTA,RTP,快速退火炉RTP上个月底，美国光量子计算创企PsiQuantum宣布，已完成4.5亿美元的D轮融资。

2022-03-07 量伙Z 292

8寸半导体厂能生产哪些芯片？

转：8英寸（200mm）半导体产线在当前的半导体制造中主要应用于成熟制程，其线宽（工艺节点）范围通常在 90nm至350nm之间，通过设备升级和工艺改进，部分8英寸产线可支持 65nm节点，但需要高精度光刻机（如深紫外光刻DUV）和更严格的过程控制，成本显著增加。 汽车电子、工业控制、物联网等领域对成熟工艺芯片需求旺盛，这些应用对线宽要求较低，但对可靠性和成本敏感，8英寸产线成为理想选择。1.功

2025-05-08 LH 286

先进封装技术介绍--高带宽架构（HBF，High Bandwidth Fabrics）

转：一，HBF高带宽架构工艺定义： HBF是High Bandwidth Fabrics的缩写，直译为“高带宽架构”。它是一种由英特尔提出并主导的先进封装技术和互连标准。其核心目标是在一个封装内，将多个芯片（如计算芯片、内存、I/O芯片等）通过一个超高带宽、低功耗、低延迟的片上互连网络连接起来，形成一个高性能的“超级芯片”。简单理解：HBF 就像是在一个“微型主板”上，为各个芯片构建了一个超级

2026-02-09 LH 273

基于聚焦叉指换能器的环形SAW陀螺仪（MEMS）

声表面波（SAW）陀螺仪利用一种被称为SAW陀螺效应的现象来测量旋转角速度。由于简化了传统MEMS陀螺仪所需的悬浮振动机制，SAW陀螺仪非常适合在恶劣环境中应用。据麦姆斯咨询报道，近期，西北工业大学机电学院常洪龙教授团队首次提出了一种使用聚焦叉指换能器（FIDT）的新型环形驻波模式SAW陀螺仪。传统SAW陀螺仪使用线性IDT产生声表面波，会导致波束偏转和能量耗散，而该研究团队使用FIDT根据结构特

2024-05-06 LH 266

Wolfspeed：8吋SiC晶圆收入首超6吋，业务规划有重大变化

11月6日，Wolspeed公布了2025年财年第一季度业绩报告。据称，Wolspeed该季度实现营收约1.95亿美元（约合人民币14.04亿），与去年同期基本持平，净亏损约2.82亿美元（约合人民币20.3亿），同比减亏约1.14亿美元（约合人民币8.2亿），减亏比例为28.68%。Wolspeed 首席执行官 Gregg Lowe 在财报中透露，该季度碳化硅业务在汽车领域获得重要增长，8英寸收

2024-11-14 LH 260