临时键合和解键合工艺技术研究

转：超薄晶圆的机械强度低，翘曲度高，为解决其支撑和传输过程中碎片率高的问题，同时也为提高产品良率及性能，通常采用临时键合和解键合的工艺方法。通过介绍临时键合工艺和解键合工艺技术，并根据工艺需求提出了临时键合设备和解键合设备的结构和原理。随着半导体技术的发展，对各种元器件功能、性能和集成度的要求也越来越高，TSV互连和三维堆叠型3D集成已经进入了主流半导体制造，以解决“摩尔定律”物理扩展的局限性，同

2025-09-18 LH 198

第三代半导体---碳化硅

2023-12-27 181

干货满满，详细解读下一代HBM架构！

转：本文将详细介绍下一代HBM标准，包括HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8，每一代都将提供巨大的进步，以满足不断增长的数据中心和AI需求。在韩国科学技术院（KAIST）和Tera（TB互连和封装实验室）最近的一份报告中，两家公司概述了HBM的路线图，并详细介绍了对下一代标准的期望。该报告概述了几个新的和即将推出的HBM标准，如HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8。首先是H

2025-11-13 LH 165

8寸半导体厂能生产哪些芯片？

转：8英寸（200mm）半导体产线在当前的半导体制造中主要应用于成熟制程，其线宽（工艺节点）范围通常在 90nm至350nm之间，通过设备升级和工艺改进，部分8英寸产线可支持 65nm节点，但需要高精度光刻机（如深紫外光刻DUV）和更严格的过程控制，成本显著增加。 汽车电子、工业控制、物联网等领域对成熟工艺芯片需求旺盛，这些应用对线宽要求较低，但对可靠性和成本敏感，8英寸产线成为理想选择。1.功

2025-05-08 LH 164