-
伟德国际BETVlCTOR夏日团建--踏山向海,聚力同行!
晨光漫过嵊泗的山脊时,我们正踩着石阶向上。风从海面掠来,带着咸涩的邀约 —— 这趟团建,要在山与海的交响里,把团队的脚印刻得更深。“路虽远,行则将至;事虽难,做则必成。” 登山途中,前有同伴伸手拉一把,后有队友递来半瓶水。有人掉队便慢下来等,有人登顶就回头指引,当全员站在东崖绝壁的观景台,山风掀起衣角的瞬间,才懂所谓团队,就是让每个人都能看到同一片海。有人说山是定力,海是胸怀,而团队,是能一起攀过
2025-07-25 LH 682
-
中标喜报!长三角太阳能光伏技术创新中心
2024-11-14 LH 664
-
创新驱动,合作共赢!第十二届半导体设备年会现场回顾!
金秋送爽,丹桂飘香!为期3天的第十二届半导体设备与核心部件展示会(CSEAC 2024)圆满落下了帷幕。在这段充满创新与交流的时光里,我们共同见证了行业的前沿趋势,体验了科技的无限魅力,更携手绘制了未来发展的宏伟蓝图。今天,就让我们用现场图片回顾一下场盛会的情况!
2024-10-11 张建军 664
-
TSSG 法生长 SiC 晶体的技术优势
与PVT法不同的是,TSSG法生长SiC晶体过程中固-液界面附近具有更低的生长温度和更小的温度梯度,有助于弱化晶体内部应力并提高临界剪切应力值。同时,溶液法长晶过程中所释放的结晶潜热比气相法中释放的结晶潜热更低,可增强界面附近生长环境的稳定性。上述特点促使TSSG法在制备SiC晶体中表现出多方面的技术优势。1. 零微管和低位错密度微管是限制SiC材料应用的主要障碍之一,被称为杀手型缺陷,其存在
2024-04-09 LH 648
-
祝贺我司成功中标安徽华鑫微纳8英寸全自动快速退火设备项目!
2024-08-16 LH 647
-
氧化镓会取代碳化硅吗?一文看懂氧化镓
近来,氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料,得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”,与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比,氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV,更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且,在同等规格下,宽禁带材料可以制造die
2024-07-02 LH 584
-
邀请您参加SEMICON CHINA 2025
2025-03-21 LH 575
-
RTA设备结构和原理
快速热处理(Rapid Thermal Processing)■ RTA:Rapid Thermal Annealing 快速热退火;快速退火、RTP、RTA,快速退火炉RTP,快速退火炉RTA■ RTO:Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化主要用于生长薄绝缘层;快速退火、RTP、RTA,快速退火炉RTP,快速退火炉RTA■ RTCVD:Rapid Thermal CVD 主
2023-05-03 574