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TSSG 法生长 SiC 晶体的技术优势
与PVT法不同的是，TSSG法生长SiC晶体过程中固-液界面附近具有更低的生长温度和更小的温度梯度，有助于弱化晶体内部应力并提高临界剪切应力值。同时，溶液法长晶过程中所释放的结晶潜热比气相法中释放的结晶潜热更低，可增强界面附近生长环境的稳定性。上述特点促使TSSG法在制备SiC晶体中表现出多方面的技术优势。1. 零微管和低位错密度微管是限制SiC材料应用的主要障碍之一，被称为杀手型缺陷，其存在
2024-04-09 LH 841
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RTA设备结构和原理
快速热处理（Rapid Thermal Processing）■ RTA：Rapid Thermal Annealing 快速热退火；快速退火、RTP、RTA，快速退火炉RTP，快速退火炉RTA■ RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化主要用于生长薄绝缘层；快速退火、RTP、RTA，快速退火炉RTP，快速退火炉RTA■ RTCVD：Rapid Thermal CVD 主
2023-05-03 823
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国产Micro OLED面板厂狂奔
2023年6月，苹果正式发布公司第一款MR设备Vision Pro，该设备内屏采用了4K分辨率、像素密度达3000PPI以上的Micro OLED屏幕，Vision Pro因此成为了首款使用Micro OLED实现双目8K效果的产品。图片来源：苹果由于苹果MR设备的应用，Micro OLED再次成为了显示行业焦点技术。实际上在近年VR/AR等XR设备陈出不穷的情况下，Micro OLED在微显示领
2024-06-05 LH 817
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光伏IGBT缺货涨价替代加速，今年国产化率将翻倍增长
国产IGBT厂商经过过去一年的测验和供货后，低损耗率已经能够达到光伏逆变器大厂的供货水准。- 士兰微、斯达半导、新洁能、时代电气、杨杰科技、闻泰科技等国产IGBT厂商正将成为替代英飞凌等海外厂商的种子选手，2022年国产IGBT替代比例将会空前之高。- 在产能紧缺、交期拉长和国产替代之下，国产IGBT厂商迎来强劲的增长动能，2022年国产IGBT在光伏领域市占率有望从10%左右提升到30%。当
2024-03-27 量伙Z 788
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突发7.4级强震！全球GPU、存储、芯片大震荡！
台湾花莲县海域发生7.3级地震中国地震台网正式测定：04月03日07时58分在台湾花莲县海域（北纬23.81度，东经121.74度）发生7.3级地震，震源深度12千米。按照历史经验，地震影响产业的五个板块：（1）台湾省芯片cowos封装板块，GPU/AI芯片产能。（2）台湾省的晶圆厂代工，高阶手机和服务器芯片。（3）台湾省的面板LCD工业，将持续影响供给。（4）日韩的存储产业，dram和nand/
2024-04-09 LH 752
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中标喜报--南昌大学
江西国政招标咨询有限公司关于江西省南昌大学采购全自动快速退火炉等设备项目（招标编号：JXGZ2024-02-1504）电子化政府采购公开招标中标公告一、项目编号：JXGZ2024-02-1504二、项目名称：南昌大学采购全自动快速退火炉等设备项目恭祝甲方项目一切顺利！
2024-04-19 LH 741
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为打压中国芯，设立的520亿美元美国芯片法案，要黄了
众所周知，目前全球芯片产能主要集中在亚洲，先进芯片产能主要集中在台积电、三星两家企业手中。而美国在芯片产能上，越来越落后，份额已经从1990年的37%下降到如今的12%，低于中国大陆的16%。所以美国推出了一个520亿美元的“芯片法案”，其目的是重振芯片制造业，将全球芯片制
2024-03-26 量伙Z 739
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互补场效应晶体管（CFET）
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA, Gate-all-Around）全环绕栅极晶体管(GAAFET)等先进结构，在减少漏电、降低功耗方面虽然取得了显著成就，但进一步微缩的挑战日益显现。为了延续摩尔定律的发展趋势，并满足未来高性能计算的需求，业界正积极研发下一代晶体管
2025-03-11 LH 731
