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互补场效应晶体管（CFET）
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA, Gate-all-Around）全环绕栅极晶体管(GAAFET)等先进结构，在减少漏电、降低功耗方面虽然取得了显著成就，但进一步微缩的挑战日益显现。为了延续摩尔定律的发展趋势，并满足未来高性能计算的需求，业界正积极研发下一代晶体管
2025-03-11 LH 922
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TSSG 法生长 SiC 晶体的技术优势
与PVT法不同的是，TSSG法生长SiC晶体过程中固-液界面附近具有更低的生长温度和更小的温度梯度，有助于弱化晶体内部应力并提高临界剪切应力值。同时，溶液法长晶过程中所释放的结晶潜热比气相法中释放的结晶潜热更低，可增强界面附近生长环境的稳定性。上述特点促使TSSG法在制备SiC晶体中表现出多方面的技术优势。1. 零微管和低位错密度微管是限制SiC材料应用的主要障碍之一，被称为杀手型缺陷，其存在
2024-04-09 LH 884
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国产Micro OLED面板厂狂奔
2023年6月，苹果正式发布公司第一款MR设备Vision Pro，该设备内屏采用了4K分辨率、像素密度达3000PPI以上的Micro OLED屏幕，Vision Pro因此成为了首款使用Micro OLED实现双目8K效果的产品。图片来源：苹果由于苹果MR设备的应用，Micro OLED再次成为了显示行业焦点技术。实际上在近年VR/AR等XR设备陈出不穷的情况下，Micro OLED在微显示领
2024-06-05 LH 881
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三安、兆驰、华灿等透露AR眼镜用MicroLED布局进
转：随着Meta、苹果、小米等科技巨头加速推出AR眼镜产品，全球消费级AR眼镜市场进入快速发展的阶段，AR眼镜背后的微显示产业链发展情况也获得了越来越多的关注。近日，三安光电、兆驰股份、华灿光电、利亚德均在投资者问答平台上回答了在AR用Micro LED技术的布局最新进展。三安光电：AR用Micro LED迈向小批量验证阶段三安光电透露，AI/AR眼镜领域，公司的Micro LED产品正与国内外终
2025-07-25 LH 878
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RTA设备结构和原理
快速热处理（Rapid Thermal Processing）■ RTA：Rapid Thermal Annealing 快速热退火；快速退火、RTP、RTA，快速退火炉RTP，快速退火炉RTA■ RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化主要用于生长薄绝缘层；快速退火、RTP、RTA，快速退火炉RTP，快速退火炉RTA■ RTCVD：Rapid Thermal CVD 主
2023-05-03 861
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2023年中国传感器跑出9家独角兽公司，总估值达1807亿！（附全名单）
6月16日，在“2024中国（重庆）独角兽企业大会”上，长城战略咨询发布《中国独角兽企业研究报告2024》，据该报告统计，2023年中国独角兽企业共有375家，主要分布于39个赛道，大模型、可控核聚变、GPU芯片、半导体材料、氢能、新型储能、合成生物等领域加快涌现独角兽企业。集成电路、清洁能源、商业航天等前沿科技领域独角兽企业数量占比近七成（249家），新晋独角兽企业中这一比例更高，超八成。所有独
2024-08-08 LH 841
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光伏IGBT缺货涨价替代加速，今年国产化率将翻倍增长
国产IGBT厂商经过过去一年的测验和供货后，低损耗率已经能够达到光伏逆变器大厂的供货水准。- 士兰微、斯达半导、新洁能、时代电气、杨杰科技、闻泰科技等国产IGBT厂商正将成为替代英飞凌等海外厂商的种子选手，2022年国产IGBT替代比例将会空前之高。- 在产能紧缺、交期拉长和国产替代之下，国产IGBT厂商迎来强劲的增长动能，2022年国产IGBT在光伏领域市占率有望从10%左右提升到30%。当
2024-03-27 量伙Z 825
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中标喜报--南昌大学
江西国政招标咨询有限公司关于江西省南昌大学采购全自动快速退火炉等设备项目（招标编号：JXGZ2024-02-1504）电子化政府采购公开招标中标公告一、项目编号：JXGZ2024-02-1504二、项目名称：南昌大学采购全自动快速退火炉等设备项目恭祝甲方项目一切顺利！
2024-04-19 LH 819
