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SEMICON China2025展会精彩回顾
SEMICON China2025展会已经圆满落下帷幕，这次展会汇聚了行业内的众多精英、前沿技术与创新产品，为大家呈现了一场精彩纷呈的行业盛宴。现在，就让我们一起回顾那些精彩瞬间。虽然展会已经结束，但它所带来的影响和价值将持续发酵。我们期待下一次展会能够再次相聚，共同见证行业的发展与进步，创造更多的辉煌！阅读277修改于2025年03月31日
2025-04-03 LH 931
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LarcomSE伟德国际BETVlCTORSEMICON CHINA 2024展会回顾
2024年3月20日-22日，全球规模最大、最具影响力及最新技术热点全覆盖的半导体盛宴SEMICON CHINA 2024国际半导体展在上海新国际博览中心成功举办，下面用现场图片回顾一下SEMICON CHINA 2024的盛况。
2024-03-27 lh 908
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50.6亿发力！全国首条8英寸MEMS晶圆全自动生产线9月量产在即
转：在科技飞速发展的当下，集成电路产业的每一次突破都备受瞩目。近日，一则振奋人心的消息传来：总投资 50.6 亿的全国首条8英寸MEMS 晶圆全自动生产线建设取得重大进展，预计于今年 9 月实现量产。这一项目的推进，不仅将为我国半导体产业注入新的活力，也将在诸多领域产生深远影响。该生产线由安徽华鑫微纳集成电路有限公司投资建设，坐落于中国（蚌埠）传感谷。项目自启动以来，便吸引了业界的广泛关注。其总占
2025-07-25 LH 907
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性能相当于苹果M1芯片？华为另一款新芯片曝光
华为计划携带7颗麒麟芯片全面回归，包括笔记本电脑处理器和手机芯片。其中一颗PC麒麟芯片被称为性能相当于苹果M1芯片的性能。该芯片具有四个泰山大核、四个泰山中核，以及两个Maleoon910-10ALU大核和两个微核NPU。支持最大32GB LPDDR5-6400内存。华为还提及了麒麟9006C芯片组，采用5nm制程工艺，拥有八核ARMCPU，最高主频可达3.13GHz，与之前的麒麟9000芯片相似
2024-03-27 lh 870
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半导体碳化硅（SiC）衬底加工技术详解
转：在单晶生长工艺中获得SiC晶碇之后，接下来进行的是SiC衬底的精细制备过程。这一过程包括以下几个关键步骤：1. 磨平：首先对SiC晶碇进行磨平处理，以消除表面的不平整和生长过程中可能产生的缺陷。2. 滚圆：随后进行滚圆工序，目的是使晶碇的边缘变得光滑，为后续的切割工作做准备。3. 切割：使用精密的切割技术将SiC晶碇分割成多个薄片，这些薄片将作为衬底使用。4. 研磨（减薄）：对切割后的SiC薄
2025-06-13 LH 841
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苹果A18 芯片发布，一切皆在预料之中
过去几年，苹果一直将最重要的芯片更新留给 iPhone Pro 机型，而价格较低的非 Pro 版 iPhone 则使用一年前的芯片。今年，苹果将为 Pro 版和非 Pro 版 iPhone 推出新的 A18 系列芯片，该公司表示这些芯片“从头开始专为 Apple Intelligence 设计”。Apple A18（没有 Pro，没有 Bionic，只有 A18）将为新款iPhone 16 和 1
2024-09-11 LH 835
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氧化镓会取代碳化硅吗？一文看懂氧化镓
近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造die
2024-07-02 LH 753
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TSSG 法生长 SiC 晶体的技术优势
与PVT法不同的是，TSSG法生长SiC晶体过程中固-液界面附近具有更低的生长温度和更小的温度梯度，有助于弱化晶体内部应力并提高临界剪切应力值。同时，溶液法长晶过程中所释放的结晶潜热比气相法中释放的结晶潜热更低，可增强界面附近生长环境的稳定性。上述特点促使TSSG法在制备SiC晶体中表现出多方面的技术优势。1. 零微管和低位错密度微管是限制SiC材料应用的主要障碍之一，被称为杀手型缺陷，其存在
2024-04-09 LH 730
