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起底新加坡半导体
据日前消息透露，晶圆代工巨头台积电正考虑在新加坡建立一家芯片制造厂。据悉，此次初步谈判的是一家大型12英寸晶
2024-03-26 量伙z 526
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铜互联，还是无法替代？
近日，英特尔在2022 IEEE VLSI 技术和电路研讨会上，展示了许多涉及其Intel 4（10nm）工艺的论文。其中一点就是，新的intel 4选用了铜互连连接。早前英特尔原本打算在10nm芯片互连中采用钴（Co）这种新材料，但是众所周知，英特尔在10nm工艺经历了挫败，业界认为，与钴的集成问题可能是英特尔10nm延迟问题的部分原因。过去我们往往只关心晶体管的大小，但是现在随着芯片微缩逐渐来
2024-03-26 522
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英特尔“四年五制程节点”即将按时到站：Intel 18A芯片现已上电运行
来源: EEWORLD算力时代，芯片制程作为快速提升芯片算力的利器，正在被追捧，芯片代工领域三雄也在竞逐2nm（或Intel 18A/Intel 20A）的高地。在这条赛道上，英特尔一直走得非常迅速。在2021年7月就提出“四年五个制程节点”计划，即通过在（当时的）未来四年内推进Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五个制程节点，于2025年重获制程
2024-10-14 LH 498
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2023年中国传感器跑出9家独角兽公司，总估值达1807亿！（附全名单）
6月16日，在“2024中国（重庆）独角兽企业大会”上，长城战略咨询发布《中国独角兽企业研究报告2024》，据该报告统计，2023年中国独角兽企业共有375家，主要分布于39个赛道，大模型、可控核聚变、GPU芯片、半导体材料、氢能、新型储能、合成生物等领域加快涌现独角兽企业。集成电路、清洁能源、商业航天等前沿科技领域独角兽企业数量占比近七成（249家），新晋独角兽企业中这一比例更高，超八成。所有独
2024-08-08 LH 479
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互补场效应晶体管（CFET）
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA, Gate-all-Around）全环绕栅极晶体管(GAAFET)等先进结构，在减少漏电、降低功耗方面虽然取得了显著成就，但进一步微缩的挑战日益显现。为了延续摩尔定律的发展趋势，并满足未来高性能计算的需求，业界正积极研发下一代晶体管
2025-03-11 LH 473
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快速退火炉的作用，快速退火炉详细介绍
快速退火炉是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，将晶圆或者材料快速的加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。快速退火炉采用先进的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到极高的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求
2023-09-01 471
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东南亚半导体IDM、晶圆代工设厂情况
东南亚聚集了多家IDM、晶圆代工和封测企业，这里共收集了主要企业在东南亚6国的设厂情况：据不完全统计，其中，全球前十大IDM企业中有7家在东南亚设有制造工厂，总数量在25座左右，全球前十大封测企业中也有7家设厂，总数量约11座。东南亚全部电子元器件产能预计占到全球的20%，其中CPU、非易失性存储器和阻容制造占比高出该数值，典型代表是表中所列的英特尔、西数/希捷和三星/村田/太诱。马来西亚：东南
2024-03-26 469
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射频前端芯片分析：国内与海外的差距及影响
（转）在当今的通信技术领域，射频前端设计至关重要，它是实现无线信号收发的关键环节，其性能直接影响着通信设备的质量和用户体验。射频前端设计公司由于产品具有技术密集、更新换代快等特性，需要持续的高研发投入来保持竞争力。射频前端芯片产品涉及多种复杂技术，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器等的设计与制造工艺。这些技术不仅要满足不断提升的通信标准，如从4G 到 5G 乃至未来 6G 的演进，还要适应各类终端
2025-02-06 LH 450
