GaN-On-SiC的未来

要说GaN有多火，如果你是手机制造商，不推出一款GaN快充可能会被嘲笑落伍。而在射频领域，GaN更被认为是高功率和高性能应用场景的未来。在SiC衬底上生长出的GaN呢？优秀基因的强强结合能否成就未来的王者？“高规格”市场的枷锁 GaN-On-SiC（碳化硅基氮化镓）结合了SiC优异的导热性和GaN高功率高频

2023-11-25 341

LarcomSE邀请您参加SEMICON CHINA 、Product ro nica 2024 E6#6850量伙展位

2024半导体展，semi china展会，半导体设备展会，快速退火炉

2024-03-11 LHZ 339

又一家Foundry，确认杀入12吋晶圆代工

晶圆代工成熟制程市况杂音不断，世界先进、力积电仍积极扩产，世界已向竹科管理局申请进驻苗栗铜锣，兴建旗下首座12吋厂，力积电也向竹科管理局申请承租同一块地作为未来扩建，形成「双龙抢珠」局面。业界人士分析，由于力积电已提出在铜锣分二期兴建月产10万片新厂总投资额达2,780亿元

2024-03-26 332

临时键合和解键合工艺技术研究

转：超薄晶圆的机械强度低，翘曲度高，为解决其支撑和传输过程中碎片率高的问题，同时也为提高产品良率及性能，通常采用临时键合和解键合的工艺方法。通过介绍临时键合工艺和解键合工艺技术，并根据工艺需求提出了临时键合设备和解键合设备的结构和原理。随着半导体技术的发展，对各种元器件功能、性能和集成度的要求也越来越高，TSV互连和三维堆叠型3D集成已经进入了主流半导体制造，以解决“摩尔定律”物理扩展的局限性，同

2025-09-18 LH 314

激光退火工艺在IGBT制造中的应用

激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要，IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。01IGBT退火技术在垂直方向上，IGBT结构经历了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和

2025-08-15 LH 294

合肥市智能机器人研究院3-4月重要事件

重点摘要1全国政协副主席、民进中央常务副主席朱永新莅临调研2哈工智灵完成天使轮融资3我院荣获2023年度“三八红旗集体”4我院科普基地春季研学游火爆5哈工龙延再获安徽省首台套重大技术装备6伟德国际BETVlCTOR与上市公司立昂微达成战略合作7哈工澳汀清洁机器人“上岗”地铁站8哈工易农高端农机热销南北9合滨智能获“中国医疗人工智能实践典型案例”奖10新质生产力百人论坛调研组到访我院全国政协副主席、民进中央常务副主

2024-05-11 LH 288

重大资产重组！国科微“锁定”宁波FAB

转：A股半导体圈迎来“大动作”——近日，国内芯片设计龙头国科微（300672.SZ）公告称，公司拟通过发行股份及支付现金等方式购买中芯集成电路（宁波）有限公司（以下简称中芯宁波）94.37%股权，并拟向不超过35名符合条件的特定对象发行股票募集配套资金。根据公告，上述交易定价为57.01元/股，涉及宁波甬芯、元器利创、中芯控股、国家大基金一期、宁波经开区产投等11名交易方。停牌前2个交易日（5月2

2025-06-11 LH 272

第三代半导体---碳化硅

2023-12-27 271