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干货满满，详细解读下一代HBM架构！
转：本文将详细介绍下一代HBM标准，包括HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8，每一代都将提供巨大的进步，以满足不断增长的数据中心和AI需求。在韩国科学技术院（KAIST）和Tera（TB互连和封装实验室）最近的一份报告中，两家公司概述了HBM的路线图，并详细介绍了对下一代标准的期望。该报告概述了几个新的和即将推出的HBM标准，如HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8。首先是H
2025-11-13 LH 306
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激光退火工艺在IGBT制造中的应用
激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要，IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。01IGBT退火技术在垂直方向上，IGBT结构经历了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和
2025-08-15 LH 275
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LarcomSE邀请您参加SEMICON CHINA 、Product ro nica 2024 E6#6850量伙展位
2024半导体展，semi china展会，半导体设备展会，快速退火炉
2024-03-11 LHZ 268
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合肥市智能机器人研究院3-4月重要事件
重点摘要1全国政协副主席、民进中央常务副主席朱永新莅临调研2哈工智灵完成天使轮融资3我院荣获2023年度“三八红旗集体”4我院科普基地春季研学游火爆5哈工龙延再获安徽省首台套重大技术装备6伟德国际BETVlCTOR与上市公司立昂微达成战略合作7哈工澳汀清洁机器人“上岗”地铁站8哈工易农高端农机热销南北9合滨智能获“中国医疗人工智能实践典型案例”奖10新质生产力百人论坛调研组到访我院全国政协副主席、民进中央常务副主
2024-05-11 LH 267
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临时键合和解键合工艺技术研究
转：超薄晶圆的机械强度低，翘曲度高，为解决其支撑和传输过程中碎片率高的问题，同时也为提高产品良率及性能，通常采用临时键合和解键合的工艺方法。通过介绍临时键合工艺和解键合工艺技术，并根据工艺需求提出了临时键合设备和解键合设备的结构和原理。随着半导体技术的发展，对各种元器件功能、性能和集成度的要求也越来越高，TSV互连和三维堆叠型3D集成已经进入了主流半导体制造，以解决“摩尔定律”物理扩展的局限性，同
2025-09-18 LH 262
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关税风暴对存储行业的影响
转自电子发烧友网报道4月魔幻开局，关税你来我往。美国东部时间4月10日，美方发布行政令，将此前宣布的对中国输美商品加征84%所谓“对等关税”，进一步提高至125%。国务院关税税则委员会4月11日发布公告，自4月12日起，调整《国务院关税税则委员会关于调整对原产于美国的进口商品加征关税措施的公告》（税委会公告2025年第5号）规定的加征关税税率，将原产于美国的所有进口商品的加征关税税率由84%提高至
2025-04-15 LH 251
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重大资产重组！国科微“锁定”宁波FAB
转：A股半导体圈迎来“大动作”——近日，国内芯片设计龙头国科微（300672.SZ）公告称，公司拟通过发行股份及支付现金等方式购买中芯集成电路（宁波）有限公司（以下简称中芯宁波）94.37%股权，并拟向不超过35名符合条件的特定对象发行股票募集配套资金。根据公告，上述交易定价为57.01元/股，涉及宁波甬芯、元器利创、中芯控股、国家大基金一期、宁波经开区产投等11名交易方。停牌前2个交易日（5月2
2025-06-11 LH 250
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基于聚焦叉指换能器的环形SAW陀螺仪（MEMS）
声表面波（SAW）陀螺仪利用一种被称为SAW陀螺效应的现象来测量旋转角速度。由于简化了传统MEMS陀螺仪所需的悬浮振动机制，SAW陀螺仪非常适合在恶劣环境中应用。据麦姆斯咨询报道，近期，西北工业大学机电学院常洪龙教授团队首次提出了一种使用聚焦叉指换能器（FIDT）的新型环形驻波模式SAW陀螺仪。传统SAW陀螺仪使用线性IDT产生声表面波，会导致波束偏转和能量耗散，而该研究团队使用FIDT根据结构特
2024-05-06 LH 240
