Wolfspeed：8吋SiC晶圆收入首超6吋，业务规划有重大变化

11月6日，Wolspeed公布了2025年财年第一季度业绩报告。据称，Wolspeed该季度实现营收约1.95亿美元（约合人民币14.04亿），与去年同期基本持平，净亏损约2.82亿美元（约合人民币20.3亿），同比减亏约1.14亿美元（约合人民币8.2亿），减亏比例为28.68%。Wolspeed 首席执行官 Gregg Lowe 在财报中透露，该季度碳化硅业务在汽车领域获得重要增长，8英寸收

2024-11-14 LH 192

史上最全的LED快速退火炉知识，了解一下吧

LED芯片也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。

2024-01-03 量伙Z 190

美国打压中国半导体，韩国三星和SK海力士很受伤

尽管美国不断努力削弱中国的技术进步，但来自韩国的报道表明一个令人担忧的现实：中国的半导体产业正在迅速赶超，对韩国在中国市场的主导地位构成了重大挑战。以三星和SK海力士为代表的韩国企业很受伤。与最初的预期相反，美国的压力并没有显著削弱中国的工业竞争力。美国的限制加速了中国的自给自足进程，尤其是成熟制程的芯片产业链，和智能手机等终端产品。事实上，中国不仅在智能手机和显示器领域巩固了地位，而且在关键的半

2024-05-06 LH 189

激光退火工艺在IGBT制造中的应用

激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要，IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。01IGBT退火技术在垂直方向上，IGBT结构经历了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和

2025-08-15 LH 179

DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

2024-03-07 167

第三代半导体---碳化硅

2023-12-27 164

浙江龙湾：温州首个晶圆厂项目有了新进展

转载。近日，在浙江温州湾新区、龙湾区，浙江星曜半导体有限公司5G射频滤波器硅基晶圆片项目完成全部带负荷试验，单电源成功接入，标志着该项目已经具备了产线调试的条件。据悉，这也是温州市首个晶圆厂项目。供电公司技术人员进行电路调试（国网温州供电公司 供图）据了解，芯片由晶圆分割而成，晶圆是芯片生产的载体。5G射频滤波器硅基晶圆片项目于2023年4月签约落地温州龙湾，总投资约7.5亿元，规划用地面积约60

2024-11-06 LH 151

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2024-03-26 149