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FinFET晶体管的发展历程与技术原理
转：逍遥设计自动化晶体管技术的演进是现代工程学中最引人注目的成就之一。在过去几十年中,半导体行业以非凡的一致性遵循着摩尔定律,大约每两年将晶体管密度提高一倍。这种进步推动了计算能力的指数级增长,改变了整个世界——从服务少数用户的大型计算机发展到数十亿人手中的智能手机。然而,当晶体管尺寸接近先进技术节点所需的纳米级尺寸时,基本物理限制开始威胁进一步的发展。FinFET的出现为这些挑战提供了优雅的解决
2025-12-15 LH 536
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设备担重任 ｜第12届半导体设备与核心部件展示会9月底无锡开幕
CSEAC作为我国半导体行业专注「设备与核心部件」领域的展示会，集企业展示、论坛交流、权威发布于一体，为众多半导体设备/部件企业展示新产品、新发展景象提供良好展示平台。第十二届半导体设备与核心部件展示会（CSEAC 2024）将于2024年9月25日至27日，在无锡太湖国际博览中心举办。大会遵循“专业化、高水平、产业化”的办会宗旨，设大型展览、专业论坛、新品发布、对接会等活动，将为行业呈现一场“内
2024-08-06 LH 536
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长鑫存储官宣发布LPDDR5X！速率登顶10667Mbps
转：据长鑫存储官方网站信息更新，长鑫存储已正式推出LPDDR5X产品，最高速率达到10667Mbps。据官网产品信息介绍，“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计，长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率达到10667Mbps ，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了6
2025-10-30 LH 534
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临时键合和解键合工艺技术研究
转：超薄晶圆的机械强度低，翘曲度高，为解决其支撑和传输过程中碎片率高的问题，同时也为提高产品良率及性能，通常采用临时键合和解键合的工艺方法。通过介绍临时键合工艺和解键合工艺技术，并根据工艺需求提出了临时键合设备和解键合设备的结构和原理。随着半导体技术的发展，对各种元器件功能、性能和集成度的要求也越来越高，TSV互连和三维堆叠型3D集成已经进入了主流半导体制造，以解决“摩尔定律”物理扩展的局限性，同
2025-09-18 LH 512
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人形机器人技术与产业发展研究，我国传感器等核心技术处于什么水平？
本论文由中国工程院王耀南院士团队撰写，发表于中国工程院院刊《中国工程科学》2025年第1期，主要阐述了我国人形机器人技术与产业发展态势，涵盖传感器、电机、减速器等全链条核心零部件发展现状和情况。王耀南院士是机器人技术与智能控制专家，主要从事智能机器人感知与控制技术及工程应用研究。编者按机器人被誉为“制造业皇冠顶端的明珠”。人形机器人是智能机器人技术的结晶，可以在特定行业如医疗护理、家庭服务、教育娱
2025-04-15 LH 493
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LarcomSE邀请您参加SEMICON CHINA 、Product ro nica 2024 E6#6850量伙展位
2024半导体展，semi china展会，半导体设备展会，快速退火炉
2024-03-11 LHZ 491
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日本半导体之集大成者Rapidus，加入2nm之战
转：世界上只有三家公司能够以令人难以置信的精度大规模生产最先进的计算机芯片。上个月，日本的一家初创公司迈出了成为第四家公司的第一步。4月 1 日， Rapidus达到了一个关键的里程碑，它使用与IBM 合作开发的配方（基于后者的纳米片晶体管结构）启动并测试了其 2 纳米节点芯片试验线。Rapidus告诉IEEE Spectrum，其位于千岁的新晶圆厂安装的 200 多台尖端设备现已准备就绪，可以投
2025-05-09 LH 467
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1万伏！丰田GaN新技术明年量产
2月13日，据日本媒体报道，丰田合成已经开发了一种可以承受10000V或更高电压的氮化镓器件，预计2024年将会量产，目标应用包括汽车OBC，甚至是直流微电网。此前报道提到，丰田合成这项氮化镓技术采用了全新结构——极性超结（PSJ）GaN FET(.链接.)。今天，我们来分析一下这项技术是如何实现的，以及它的最新进展。丰田极性超结氮化镓击穿电压高达1万伏如今市面上基于HEMT结构的横向GaN功率器
2024-03-26 量伙Z 450
