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28nm以上产能，中国大陆占比29%
市场预估2024年中将开始量产的成熟制程半导体中，中国将占全球3成半导体生产能力。台积电熊本厂开始量产的成熟制程半导体虽较先进制程半导体落后，但被广泛应用在如汽车、产业机器等领域，在经济安全保障上可说是重要战略物资。东亚各国及地区在全球半导体供应链扮演重要角色。中国台湾地区在先进制程半导体、韩国在存储器，以及日本在原材料、制造设备方面各具优势。近年中国大陆在成熟半导体制程方面开始逐渐加大力度，可能
2024-02-07 LHZ 395
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射频前端芯片分析：国内与海外的差距及影响
（转）在当今的通信技术领域，射频前端设计至关重要，它是实现无线信号收发的关键环节，其性能直接影响着通信设备的质量和用户体验。射频前端设计公司由于产品具有技术密集、更新换代快等特性，需要持续的高研发投入来保持竞争力。射频前端芯片产品涉及多种复杂技术，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器等的设计与制造工艺。这些技术不仅要满足不断提升的通信标准，如从4G 到 5G 乃至未来 6G 的演进，还要适应各类终端
2025-02-06 LH 394
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互补场效应晶体管（CFET）
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA, Gate-all-Around）全环绕栅极晶体管(GAAFET)等先进结构，在减少漏电、降低功耗方面虽然取得了显著成就，但进一步微缩的挑战日益显现。为了延续摩尔定律的发展趋势，并满足未来高性能计算的需求，业界正积极研发下一代晶体管
2025-03-11 LH 389
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1万伏！丰田GaN新技术明年量产
2月13日，据日本媒体报道，丰田合成已经开发了一种可以承受10000V或更高电压的氮化镓器件，预计2024年将会量产，目标应用包括汽车OBC，甚至是直流微电网。此前报道提到，丰田合成这项氮化镓技术采用了全新结构——极性超结（PSJ）GaN FET(.链接.)。今天，我们来分析一下这项技术是如何实现的，以及它的最新进展。丰田极性超结氮化镓击穿电压高达1万伏如今市面上基于HEMT结构的横向GaN功率器
2024-03-26 量伙Z 386
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中国对安世半导体实施出口管制，回应荷兰政府接管
转：当地时间10月14日，彭博社报道，中国政府在荷兰政府接管安世半导体（Nexperia）后，迅速采取出口管制措施，禁止其中国子公司及分包商出口部分组件。此举发生在中美即将再展开贸易谈判的敏感时刻，也凸显中欧在半导体供应链与安全问题上的紧张关系进一步升级。荷兰政府此前援引一部冷战时期的法律《物资供应法》（Goods Availability Act），对安世半导体实施接管，以确保欧洲能够继续获得其
2025-10-15 LH 354
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完成SEMICON/FPD China 2025观众预注册 抽三星折叠手机
SEMICON/FPD China 2025 观众预注册SEMICONChina/FPD China2025将于2025年3月26日-28日在上海新国际博览中心N1-N5、E6-E7、T0-T3馆盛大举行。海内外半导体产业链的领军企业齐聚一堂，是您把握产业趋势、了解最新技术、找到商业伙伴的必选之地！2025年3月7日前注册的观展观众，入场胸牌提前派送，省去现场排队烦恼。SEMICON China
2025-01-03 lh 343
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Intel CPU工艺上演奇迹：6个季度内实现量产
在先进工艺上，Intel这两年被三星、台积电领先了，但在CEO基辛格的带领下，Intel目标是2025年重新成为半导体领导者，还定下了4年内掌握5代CPU工艺的宏大目标，如今已经是2023年了，距离目标只有2年。这五种工艺是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A（等效2nm，其中A代表埃米，1nm=10埃米，下同）、18A(等效1.8nm)，其中Intel 7就是当前1
2024-03-26 338
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日本半导体之集大成者Rapidus，加入2nm之战
转：世界上只有三家公司能够以令人难以置信的精度大规模生产最先进的计算机芯片。上个月，日本的一家初创公司迈出了成为第四家公司的第一步。4月 1 日， Rapidus达到了一个关键的里程碑，它使用与IBM 合作开发的配方（基于后者的纳米片晶体管结构）启动并测试了其 2 纳米节点芯片试验线。Rapidus告诉IEEE Spectrum，其位于千岁的新晶圆厂安装的 200 多台尖端设备现已准备就绪，可以投
2025-05-09 LH 326
