-
CES 2026展场直击：RGB Mini LED、Micro LED全场景渗透
转：美国时间1月6日，CES 2026消费电子展在拉斯维加斯正式开幕。在中大尺寸显示领域，RGB Mini LED背光与Micro LED成为显示行业聚焦的两大热门技术，各家企业基于以上技术，展出了大尺寸电视、车载显示到商业显示等多种形态的产品。图片来源：CES电视：2026年成为RGB Mini LED普及元年在电视领域，TCL、海信、三星、兆驰、LG等企业发布了搭载最新技术的高端机型。其中，R
2026-01-07 LH 409
-
完成SEMICON/FPD China 2025观众预注册 抽三星折叠手机
SEMICON/FPD China 2025 观众预注册SEMICONChina/FPD China2025将于2025年3月26日-28日在上海新国际博览中心N1-N5、E6-E7、T0-T3馆盛大举行。海内外半导体产业链的领军企业齐聚一堂，是您把握产业趋势、了解最新技术、找到商业伙伴的必选之地！2025年3月7日前注册的观展观众，入场胸牌提前派送，省去现场排队烦恼。SEMICON China
2025-01-03 lh 397
-
关税风暴对存储行业的影响
转自电子发烧友网报道4月魔幻开局，关税你来我往。美国东部时间4月10日，美方发布行政令，将此前宣布的对中国输美商品加征84%所谓“对等关税”，进一步提高至125%。国务院关税税则委员会4月11日发布公告，自4月12日起，调整《国务院关税税则委员会关于调整对原产于美国的进口商品加征关税措施的公告》（税委会公告2025年第5号）规定的加征关税税率，将原产于美国的所有进口商品的加征关税税率由84%提高至
2025-04-15 LH 370
-
激光退火工艺在IGBT制造中的应用
激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要，IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。01IGBT退火技术在垂直方向上，IGBT结构经历了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和
2025-08-15 LH 358
-
合肥市智能机器人研究院3-4月重要事件
重点摘要1全国政协副主席、民进中央常务副主席朱永新莅临调研2哈工智灵完成天使轮融资3我院荣获2023年度“三八红旗集体”4我院科普基地春季研学游火爆5哈工龙延再获安徽省首台套重大技术装备6伟德国际BETVlCTOR与上市公司立昂微达成战略合作7哈工澳汀清洁机器人“上岗”地铁站8哈工易农高端农机热销南北9合滨智能获“中国医疗人工智能实践典型案例”奖10新质生产力百人论坛调研组到访我院全国政协副主席、民进中央常务副主
2024-05-11 LH 338
-
重大资产重组！国科微“锁定”宁波FAB
转：A股半导体圈迎来“大动作”——近日，国内芯片设计龙头国科微（300672.SZ）公告称，公司拟通过发行股份及支付现金等方式购买中芯集成电路（宁波）有限公司（以下简称中芯宁波）94.37%股权，并拟向不超过35名符合条件的特定对象发行股票募集配套资金。根据公告，上述交易定价为57.01元/股，涉及宁波甬芯、元器利创、中芯控股、国家大基金一期、宁波经开区产投等11名交易方。停牌前2个交易日（5月2
2025-06-11 LH 336
-
8寸半导体厂能生产哪些芯片？
转：8英寸（200mm）半导体产线在当前的半导体制造中主要应用于成熟制程，其线宽（工艺节点）范围通常在 90nm至350nm之间，通过设备升级和工艺改进，部分8英寸产线可支持 65nm节点，但需要高精度光刻机（如深紫外光刻DUV）和更严格的过程控制，成本显著增加。 汽车电子、工业控制、物联网等领域对成熟工艺芯片需求旺盛，这些应用对线宽要求较低，但对可靠性和成本敏感，8英寸产线成为理想选择。1.功
2025-05-08 LH 327
-
HBF将超过HBM，闪存巨大利好
转：有预测称，计划于明年实现商业化的下一代 NAND 闪存产品——高带宽闪存 (HBF)，将在大约 10 年内超越高带宽存储器 (HBM) 市场，而 HBM 是人工智能半导体的核心组件。2月3日，韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系金正浩教授在首尔中区新闻中心举行了“HBF研究内容和技术开发战略简报会”，并强调“随着人工智能的思考和推理能力变得重要，以及从文本界面向语音界面的过渡，所需的数据
2026-02-05 LH 326
